Аспирантура

Кто читает:: Департамент электронной инженерии

Статус:: Курс по выбору

Когда читается:: 1-й курс, 1 семестр

Преподаватели

Бондаренко Геннадий Германович

Монахов Иван Сергеевич

Полная версия программы учебной дисциплины

Аннотация

Дисциплина «Физическое материаловедение» направлена на получение фундаментальных знаний в области физики конденсированного состояния, углубленных представлений об электронной и атомно-кристаллической структуре твердых тел, структурно-фазовых превращениях, физических свойствах (электрических, магнитных, механических и др.) проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, взаимосвязи между атомно-электронной структурой, составом и различными физическими свойствами материалов, применяемых в различных технических отраслях, поведении твердых тел в широком диапазоне температур и давлений, а также методах определения физических свойств и оценки функциональных характеристик материалов. Кроме того, освоение дисциплины должно способствовать формированию профессиональных компетенций, определяемых профилем программы аспирантуры.

Цель освоения дисциплины

Целью освоения дисциплины является получение аспирантами углубленных знаний о теоретических основах создания материалов, а также структурных фаз и систем, их строении, структурно-фазовых превращениях, физико-механических свойствах, влиянии на их рабочие характеристики различных эксплуатационных факторов (температуры, давления, механических, термических воздействий), методах обработки для придания материалам улучшенных эксплуатационных характеристик, формирование основных компетенций в области физического материаловедения.

Планируемые результаты обучения

Знает теоретические основы кристаллизации материалов, построения и анализа диаграмм фазового равновесия сплавов, имеет представление о структурно-фазовых превращениях в многокомпонентных сплавах, связи свойств сплавов с диаграммами фазового равновесия, умеет провести качественную и количественную оценку структурно-фазовых изменений в материалах под действием различных внешних факторов.
Знает атомное строение основных структурных типов кристаллических материалов, имеет представление о дефектах кристаллической структуры и диффузионных процессах в реальных твердых телах, умеет провести качественную и количественную оценку структурной неоднородности и ее влияния на эксплуатационные свойства материалов.

Содержание учебной дисциплины

Раздел 1. Атомное строение идеальных и реальных кристаллических материалов
Тема 1.1.Межатомные связи и атомное строение идеальных кристаллических материалов. Кристаллические и аморфные твердые тела. Ближний и дальний порядок. Типы межатомных связей – металлическая, ковалентная, ионная, Ван-дер-Ваальса. Понятие об идеальном и реальном кристаллах. Основные типы кристаллических решеток – металлов (типов меди – ГЦК, вольфрама – ОЦК, магния – ГПУ), графита, полупроводников и диэлектриков (типов алмаза, сфалерита, перовскита, каменной соли и др.).. Плотноупакованные и неплотноупакованные кристаллические решетки. Коэффициент компактности кристаллической решетки. Кристаллографические пустоты в различных кристаллических решетках. Кристаллографические индексы плоскостей и направлений, индексы Миллера и Миллера-Бравэ. Анизотропия свойств кристаллических материалов. Полиморфизм. Тема 1.2. Дефекты кристаллической решетки в реальных твердых телах. Классификация дефектов кристаллической решетки. Точечные дефекты в кристаллических твердых телах. Определение и описание типов точечных дефектов – собственных дефектов (вакансий, междоузельных атомов), примесных атомов внедрения и замещения. Дефекты Френкеля и Шоттки. Гантели. Кроудионы. Комплексы точечных дефектов – вакансионные, междоузельные, комплексы «собственный дефект-примесный атом». Энергии образования и миграции точечных дефектов и их комплексов. Равновесная и неравновесная концентрации точечных дефектов. Источники и стоки точечных дефектов. Дислокации. Понятие о дислокациях. Основные положения теории дислокаций. Краевая дислокация. Движение краевой дислокации скольжением и переползанием. Пороги, образующиеся при переползании краевых дислокаций. Винтовая дислокация, ее образование и перемещение скольжением и поперечным скольжением. Цилиндрическая симметрия искажения кристаллической решетки вокруг винтовой дислокации. Вектор Бюргерса, его свойства. Образование порогов при пересечении дислокаций. Движение винтовой дислокации с порогами краевой ориентации, образование точечных дефектов в результате данного процесса. Смешанные дислокации, их движение. Скользящие петли дислокаций. Поперечное скольжение петли смешанной дислокации. Призматические петли дислокаций, их образование при пластической деформации, закалке, облучении. Скорость движения дислокаций. Упругие свойства дислокаций. Энергия образования дислокации. Сила, действующая на дислокацию. Линейное натяжение дислокации. Взаимодействие между дислокацией и поверхностью границы раздела (сила изображения). Упругое взаимодействие дислокаций. Сила Пайерлса, барьер Пайерлса. Широкие и узкие дислокации. Взаимосвязь напряжения Пайерлса с хрупкостью низкосимметричных структур. Плотность дислокаций, методы ее определения. Образование дислокаций в различных процессах (на фронте кристаллизации, при эпитаксиальном росте пленок, сегрегации примесей при кристаллизации, дроблении зерен на субзерна, закалке, облучении, на границах зерен). Эпитаксиальные дислокации (дислокации несоответствия). Размножение дислокаций, механизм Франка-Рида размножения дислокаций. Дислокационные сетки. «Лес» дислокаций. Понятие о полных и частичных (неполных) дислокациях. Частичные дислокации Шокли. Расщепленные (растянутые) дислокации. Частичные дислокации Франка. Сидячие дислокации. Сидячие и скользящие призматические дислокационные петли. Дислокация Ломер-Коттрелла, ее образование. Взаимодействие дислокаций с вакансиями и междоузельными атомами. Преференс. Геликоидальная дислокация. Примесные атмосферы Коттрелла, Снука, Сузуки. Дефекты упаковки в кристаллах. Способы укладки атомных слоев кристаллической решетки. Дефекты упаковки как поверхностные (двумерные) дефекты кристаллической решетки. Дефекты упаковки внедрения и вычитания. Энергия дефектов упаковки. Поверхностное натяжение дефекта упаковки. Монокристаллические и поликристаллические твердые тела, зерна и субзерна. Границы зерен и субзерен в твердых телах. Границы наклона и кручения. Малоугловые границы, их образование. Симметричные и несимметричные малоугловые границы, их миграция. Высокоугловые (большеугловые) границы зерен. Модель Глейтера-Чалмерса высокоугловой границы. Зернограничная дислокация, ее перемещение. Миграция границ зерен и субзерен, зернограничное проскальзывание. Генерация дислокаций границами зерен. Торможение дислокаций границами зерен и субзерен. Тема 1.3. Диффузионные процессы в реальных кристаллах. Диффузия в кристаллических твердых телах (определение). Самодиффузия и гетеродиффузия. Термодинамика диффузионных процессов. Химический потенциал, градиент химического потенциала. Диффузия свободная и вынужденная (термодиффузия, электродиффузия, бародиффузия, восходящая диффузия). Атомные механизмы диффузии в твердых телах (по дислокационным трубкам, границам зерен, поверхности, вакансионный, межузельный, гантельный, обменный, кольцевой и др.). Законы диффузии (законы Фика). Коэффициент диффузии. Зависимость коэффициента диффузии от температуры (уравнение Аррениуса). Энергия активации диффузии. Эффект Киркендалла.
Раздел 2. Кристаллизация, фазовые диаграммы и фазовые превращения в материалах.
Тема 2.1. Кристаллизация и фазовые превращения в материалах. Термодинамические основы кристаллизации. Кристаллизация, энергетические условия и механизмы процесса кристаллизации. Первичная и вторичная кристаллизация. Термодинамика фазовых превращений. Изменение свободной энергии при зарождении новой фазы в жидком и твердом состояниях. Степень переохлаждения и её влияние на процесс кристаллизации. Гомогенное (флуктуационное) и гетерогенное зарождение. Критический зародыш. Термические кривые охлаждения при кристаллизации веществ. Рост кристаллов, механизмы роста кристаллов (для совершенного кристалла на плоской атомной поверхности и спиральный рост реального кристалла при наличии винтовой дислокации). Дендритное строение кристаллов. Ликвация – внутрикристаллитная, зональная, гравитационная. Возврат - отдых, полигонизация. Первичная, собирательная и вторичная рекристаллизация, текстура. Статическая и динамическая рекристаллизация. Влияние возврата и рекристаллизации на свойства материалов. Фазовые переходы 1-го и 2-го рода. Полиморфные превращения в твердом состоянии. Магнитные превращения. Виды сплавов. Компонент, фаза, механическая смесь. Виды кристаллических твердых фаз: чистые компоненты, твердые растворы, промежуточные фазы. Твердые растворы внедрения. Твердые растворы замещения – неупорядоченные, упорядоченные (сверхструктуры). Твердые растворы вычитания. Интерметаллиды. Тема 2.2. Диаграммы фазового равновесия бинарных систем. Сущность и значение диаграмм фазового равновесия (диаграмм состояния). Правило фаз. Термодинамические основы построения диаграмм состояния. Основные типы диаграмм фазового равновесия двойных сплавов. Правило отрезков (правило рычага). Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов. Диаграммы состояния с ограниченной растворимостью эвтектического и перитектического типов. Диаграммы состояния с химическими соединениями, промежуточными фазами, с монотектическим превращением. Полиморфизм. Диаграммы состояния с полиморфным превращением. Понятие о диаграммах состояния тройных систем. Связь свойств сплавов с их диаграммой фазового равновесия (законы Курнакова).

Элементы контроля

Домашнее задание
Реферат
Экзамен
Преподаватель вправе освободить от прохождения экзамена аспирантов, с выставлением им оценки по промежуточной аттестации, соответствующей накопленной оценке без учёта веса экзамена. Преподаватель объявляет свое решение не позднее, чем на последнем занятии до сессии. По желанию аспирантов, они могут отказаться от выставления оценки без проведения экзамена и сдать его, о чем сообщают преподавателю не позднее последнего занятия.

Промежуточная аттестация

Промежуточная аттестация (I семестр)
Qрез = 0.50 Qнакопл + 0.50 Qэкз = 0.25 Q дз + 0.25 Qреф + 0.50 Qэкз , где Qрез - результирующая оценка, Qнакопл - накопленная оценка (Qнакопл = 0.50 Q дз + 0.50 Qреф), Q дз - оценка за домашнее задание, Qреф - оценка за реферат, Qэкз - оценка за экзамен

Физическое материаловедение

Преподаватели

Программа дисциплины

Аннотация

Цель освоения дисциплины

Планируемые результаты обучения

Содержание учебной дисциплины

Элементы контроля

Промежуточная аттестация

Список литературы

Рекомендуемая основная литература

Рекомендуемая дополнительная литература